PCB板清洗廢水處理

精密電子清洗：

 精密電子清洗包含SMT電子清洗、功率電子清洗和先進(jìn)封裝清洗，清洗后會產(chǎn)生清洗廢水。

 SMT電子清洗涵蓋去除印制電路板(PCBA)、鋼網(wǎng)/絲網(wǎng)、誤印板、SMT回流爐、波峰爐的維護(hù)部件及夾具上的助焊劑及錫膏殘留。對于印制電路板清洗（PCBA清洗），主要目標(biāo)是去除電路板上的松香、樹脂殘留物，以及生產(chǎn)過程中的其他污染，這對后續(xù)工序中的邦線和塑形涂敷都是很有幫助的。清洗過程中需要加入專用的清洗劑，如PCBA清洗一般加入水洗型清洗劑（俗稱洗板水），清洗工藝上盡管做到了很大程度的回收利用，但是不可避免的會產(chǎn)生清洗廢水，這類清洗廢水需要通過工藝處理后回用或達(dá)標(biāo)排放。

功率電子清洗主要去除功率電子器件，如功率模塊/DCB/IGBT、引線框架/分立器件和高功率LED等元器件上的助焊劑殘留。在功率電子制造行業(yè)，清洗IGBT模塊，即DCB（也稱為DBC）是有必要的。首先在芯片焊接之后的綁線工藝之前，必須準(zhǔn)備好潔凈的基材表面。另外，基材焊接到散熱單元之后，即熱沉焊接之后，進(jìn)行DCB清洗也是必須的。功率模塊清洗工藝的兩個主要需求：1、去除助焊劑殘留物，尤其是去除飛濺在基材和芯片上的助焊劑，2、基材和芯片經(jīng)目檢無瑕疵，例如沒有氧化層。此清洗過程同樣會產(chǎn)生清洗廢水，且同樣需要通過工藝處理后回用或達(dá)標(biāo)排放。

先進(jìn)封裝清洗涵蓋了倒裝芯片，2.5D/3D TSV硅通孔、BGA植球、MEMS、QFN和晶圓級封裝。清洗工藝用于預(yù)植球，即焊錫凸塊回流工藝之后，去除芯片和基材之間狹小空間里的助焊劑殘留物，為了達(dá)到很好的圖形分辨率，清洗工藝也需要攝像模組達(dá)到零微塵和零水痕。去除助焊劑殘留和微塵殘留，可有效避免圖像傳感器上的壞點產(chǎn)生。例如，倒裝芯片 & 2.5D/3D TSV 清洗，過倒裝芯片（FlipChip），2.5D封裝（interposer，RDL），3D封裝（TSV）這些系統(tǒng)級封裝技術(shù)將芯片貼裝后，引線鍵合、底部填充以及塑封成型前的助焊劑去除是至關(guān)重要的挑戰(zhàn)，特別是對于TSV封裝、不斷提高的封裝密度和日益縮減的底部間隙。先進(jìn)封裝清洗過程中也會產(chǎn)生清洗廢水需要處理后回用過達(dá)標(biāo)排放。

PCB板清洗廢水處理工藝：

工藝流程：

根據(jù)以上精密電子清洗工藝及清洗化學(xué)劑的成分綜合考慮，我們采用工藝流程為“預(yù)處理+光芬頓+混凝沉淀+精密過濾+RO反滲透"，其主要的COD負(fù)荷及核心工藝為光芬頓，此外RO脫鹽的同時，也起到尾端出水的水質(zhì)保障功能，使出水能達(dá)到回用要求。考慮到精密電子行業(yè)的占地和現(xiàn)場要求，將該工藝標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計，集裝箱結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)場使用和運行更加靈活。

圖1一體化集成工藝集裝箱設(shè)備

光芬頓原理：

Fenton氧化工藝是利用Fe²⁺與H₂O₂互相反應(yīng)得到的強氧化性的羥基自由基，將廢水中的難降解有機物加以降解的技術(shù)。

把光引進(jìn)芬頓試劑并不是普通芬頓與UV或 H₂O₂的簡單組合，其核心在于，在UV高強光量子的激發(fā)下，F(xiàn)e³⁺能夠重新轉(zhuǎn)化為Fe²⁺，光還原產(chǎn)生的Fe²⁺繼續(xù)與H₂O₂反應(yīng)，使•OH產(chǎn)率增加，加速有機物的分解速率，從而實現(xiàn)系統(tǒng)的一個閉路循環(huán)和控制。

此外，紫外線和Fe²⁺對H₂O₂的催化分解存在協(xié)同效應(yīng)，即H₂O₂分解速率遠(yuǎn)大于Fe²⁺或紫外線催化H₂O₂分解速率的簡單加和，這一方面是在光催化作用下，部分Fe³⁺可以轉(zhuǎn)化為Fe²⁺，另外鐵的某些絡(luò)合物在紫外線作用下會生成羥基自由基。

光芬頓優(yōu)點

1、紫外光和Fe2+對H2O2催化分解存在協(xié)同效應(yīng)，反應(yīng)效率得到較大提升；

2、Fe3+和Fe2+能保持良好的循環(huán)反應(yīng)，提高了傳統(tǒng)芬頓試劑的效率；

3、能大幅提升鐵離子的利用率，鐵鹽投加量和污泥產(chǎn)量較傳統(tǒng)芬頓均降低，節(jié)省運行成本。